„Freescale Inc.” kompanija pirmoji paskelbė apie komercinę naujos kartos atmintinių gamybą. Magnetiniai atsitiktinės kreipties atmintinės (MRAM) lustai sujungia įprastų atmintinių greitaveiką ir tvirtumą bei diskinių kaupiklių gebėjimą saugoti duomenis, išjungus maitinimą.
Tokios atmintinės lusto savybės pasiekiamos duomenis įrašant magnetiniu, o ne elektriniu būdu. Be to, skirtingai nuo perrašomųjų pastoviųjų elektroninių atmintinių (EEPROM, dar vadinamų „Flash”), MRAM veikia sparčiau, o saugomi duomenys nekinta bėgant laikui. „Flash” atmintinių ląstelėse esantis elektros krūvis po truputį mažėja, taigi po metų kitų nedarbo duomenų gali ir nelikti.
„Freescale” kompanijos atstovų teigimu 4 Mbit talpos lustus ji gamina jau kelis mėnesius. Šią atmintinių technologiją, kartais dar vadinamą „universal memory” kūrė daugelis kompanijų, įskaitant ir tokį kompiuterijos gigantą, kaip „IBM Corp.”. MRAM galėtų pakeisti daugelio mums įprastų įrenginių atmintines ir tai, kaip ši įranga dirba, juk išjungus kompiuterį, duomenys jo operatyviojoje atmintinėje liktų perskaitomi dar maždaug 10 metų.
Pasak rinkos analitikų kompanijos „Forward Concepts” darbuotojo Willo Strausso, tai viena svarbiausių šio dešimtmečio atmintinės technologijų naujovė. Pasak jo, apie magnetinę atmintinę buvo kalbama jau kelios dešimtys metų, tačiau niekam nepavyko jos pagaminti didesniais kiekiais.
Šiais laikais elektroninės atmintinės jau tapo įprastomis, tačiau kokios jos bebūtų – visos jos turi savų privalumų ir trūkumų. Dėl šios priežasties įrenginiuose naudojami keleto rūšių atmintinių lustai, siekiant išnaudoti konkretaus atmintinės tipo privalumus.
Statinės ir dinaminės atsitiktinės kreipties atmintinės (SRAM ir DRAM) yra labai sparčios, tačiau išjungus maitinimą – praranda visus duomenis. „Flash” atmintinės, naudojamos muzikos grotuvuose, fotoaparatuose, telefonuose, yra gerokai lėtesnės ir laikui bėgant taip pat gali prarasti duomenis. Taigi gamintojai deda visas galimas pastangas, kad sukurtų naujo tipo atmintines, galinčias dirbti greitai, išsaugoti duomenis, dingus maitinimui ir būti nebrangiomis. MRAM tipo atmintinėms pakeitus dabar įprastas, kompiuterių nebereikėtų įkrauti, juos pakaktų tiesiog įjungti, nes visi vakarykščio darbo duomenys būtų likę atmintinėje.
Kaip teigia Saed Tehrani, vadovaujantis MRAM projektui „Freescale” kompanijoje, jie jau turi užsakovų šiai atmintinei gaminti, tačiau kompanija neplanuoja tapti masine šios atmintinės lustų gamintoja. Pasak jo, „Freescale” nori parduoti licencijas šių lustų gamybai kitoms kompanijoms.
Labiausiai tikėtina, kad MRAM atmintinės pirmiausia bus taikomos automobilinėje ir aviacijos pramonėse, kur patikimumas yra vienas svarbiausių faktorių. S. Tehrani teigimu, tokia atmintinė puikiai tiktų duomenų rinkimo įrenginiuose, pavyzdžiui lėktuvų „juodosiose dėžėse”.
MRAM yra viena iš naujos kartos technologijų, kuri gali pakeisti dabar naudojamas atmintines. Kitos tokios technologijos pavyzdžiu gali būti FRAM, kuriama bendromis „Texas Instruments”, „Ramtron International Corp.” ir kitų kompanijų pastangomis. Tiesa, nepaisant to, kad FRAM („Ferroelectric Random Access Memory”) yra parduodamos jau keletą metų, jos plačiai nepaplito. Dažniausiai ši atmintinė yra diegiama į TI signalų procesorius bei mikrovaldiklius.
Iki šiol kitos kompanijos, kūrusios MRAM atmintinę tebuvo pranešusios apie eksperimentinių lustų sukūrimą ir nieko nepasakojo apie komercinės tokio tipo atmintinės gamybos planus. Tokia situacija gali pasikeisti po „Freescale” kompanijos MRAM atmintinės anonso.