„Freescale” pareiškė, kad jai pavyko sukurti pirmą komercinį įrenginį, pajungiantį puslaidininkius galio arsenido (GaAs) pagrindu ir tradicinę MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) gamybos technologiją.
Šis proveržis leis kurti naują galios stiprintuvų klasę bei puslaidininkinius elementus, pasižyminčius mažus energijos suvartojimu bei dideliu produktyvumu, kas atvers galimybes kurti visokius galinius įrenginius, vartojančius mažiau galios ir turinčius mažesnius matmenis. Greitaveikos padidėjimas, kaip manoma, leis iš esmės pakeisti analogas-skaičius keitimus, priartinant jų laiką iki nulio.
Puslaidininkiai galio arsenido pagrindu pasižymi mažesniu triukšmu darbo metu, o taip pat lenkia tradicinius silicio junginius greitaveikoje (apie 20 kartų).
Aleksandras Harkovskis