„Samsung Electronics”, didžiausias pasaulyje atminties gamintojas, paskelbė, kad baigė kurti 512 MB talpos DDR2 SDRAM atminties modulį, kuris pagamintas naudojant 70nm technologiją.
Dar 2004 metais pradėta aktyviai tobulinti 70 nm technologija laikui bėgant turėtų pakeisti 80nm ir 9 nm gamybos būdus, kuriuos „Samsung” naudoja šiuo metu.
Pirmuosius žingsnelius 70nm atminties modulio link „Samsung” žengė jau „VLSI Symposiums” renginiuose 2004 ir 2005 metais. Tuomet pristatyti elektronikos elementai ir sumontuoti ant naujojo RAM modulio.
Naudojant 70nm technologinį procesą pagaminti atminties moduliai masiškai prekyboje turėtų pasirodyti antroje kitų metų pusėje. Minimos jų talpos yra 512 MB, 1 GB ir 2 GB.
Rinkos tyrimų bendrovės „Gartner Dataquest” duomenimis, atminties rinkos apimtys šiuo metu siekia daugiau nei 26 milijardus JAV dolerių bei nepaliaujamai didėja. Tarp labiausiai atminties rinkos plėtrą lemiančių veiksnių minimas būsimos operacinės „Vista” ėdrumas operatyviajai atminčiai, prasidėjusi naujos kartos konsolių bei pažangių mobiliųjų telefonų gamyba.