Prancūzų mokslininkai iš Elektronkos, mikroelektronikos ir nanotechnologijų instituto (IEMN/CNRS) paskelbė apie sėkmingą bandymą kuriant tranzistorius iš anglies nanovamzdelių, esančių ant silikono pagrindo. Sukurti pavyzdžiai pademonstravo rekordinį dažnį, siekiantį 30 GHz. Lyginant su ankstesniu rekordu, pasiektu 2006 metų rugpjūtį, šie tranzistoriai yra daugiau nei 4 kartus greitesni.
Skelbiama, kad anglies nanovamzdeliai buvo gauti taikant dielektroforezės metodą, kai kintamu elektros lauku yra veikiamos poliarizuojamos dalelės. Dėka šio poveikio susiformuoja didelis kiekis tvarkingai ant silikono pagrindo išsidėsčiusių nanovamzdelių, iš kurių vėliau galima formuoti reikalingu funkcionalumu pasižyminčias struktūras.
Kadangi dielektroforezė yra atliekama kambario temperatūroje, jau artimiausiu metu atsiras galimybė pagrindui vietoje silikono naudoti kur kas pigesnes medžiagas, tokias kaip stiklą ar plastiką, – teigia mokslininkai.